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通常惰性超薄金属如Au，发改Ag的沉积遵循沃尔默-韦伯生长模式岛状生长，成核阶段产生的缺陷会显著降低沉积薄膜的透过率，电导率和机械寿命。将该电极应用于光电器件时，委电与使用ITO电极的有机发光器件相比，电流效率提高了24.4％。

与传统的自组装官能团终止的材料相比，坚多分子层沉积的真空制备环境使表面终止基团具有较高的活性。因此，部门通常使用成核诱导层促进超薄金属层状生长。最近，督导调研随着对器件弯曲性能需求的提升，迫切需要发展高柔性的有机诱导层。

增量这些结果证明了分子层沉积制备的成核诱导层在有机光电器件和可穿戴器件中的应用潜力。分子层沉积的铝氧烷将衬底表面上的羟基和硅氧基团改性为具有高活性的甲基，配电从而改善了超薄金的成核作用。

业务相关成果以题为ANovelNucleationInducerforultra-thinAuAnodesinHighEfficiencyandFlexibleOrganicOptoelectronicDevices发表在了Advancedopticalmaterials。

此外，国家改攻使用该方法生长的金电极应用于柔性钙钛矿发光器件时，也展现了12.7％的电流效率增强，并在1000次弯曲后保持稳定发改Figure6.APT对于不同材料的界面分析(a)Na元素在PbTe-SrTe合金中的分布状态以及在晶界和相界处的分布情况。

委电Figure3.Cu2S1/3Se1/3Te1/3的APT分析结果(a)Cu,S,Se,Te的三维元素分布。Figure8.APT对于纳米析出物的三维形貌以及成分分析(a)PbTe-Ag2Te的APT分析结果，坚多其中球形析出物用Ag元素20at%等浓度面表示。

这些优点使得APT技术在材料缺陷分析方面具有独特的优势，部门从而帮助理解缺陷的结构以及化学成分对材料性能的作用机理。督导调研对于这些晶体缺陷的描述通常注重于其结构信息比如原子排布方式等。